一、項(xiàng)目基本情況
原公告的采購項(xiàng)目編號(hào)：GXTC-A1-********
原公告的采購項(xiàng)目名稱：北京理工大學(xué)無掩膜深硅刻蝕檢測(cè)一體化系統(tǒng)采購公開招標(biāo)公告
首次公告日期：****年**月**日
二、更正信息
更正事項(xiàng)：采購公告
更正內(nèi)容：
1、原招標(biāo)公告中附件中“主要技術(shù)要求”：
附件：
主要技術(shù)要求
無掩膜深硅刻蝕檢測(cè)一體化系統(tǒng)主要包括設(shè)備如下：
無掩膜高深比切割與檢測(cè)設(shè)備1臺(tái)：該設(shè)備能夠?qū)崿F(xiàn)高深寬比的加工，根據(jù)需要快速調(diào)整加工圖案，適應(yīng)不同的加工需求。此外該設(shè)備無需掩膜版，因此減少了掩膜版的制作和更換成本，實(shí)現(xiàn)小批量、多品種的快速加工。
離子增強(qiáng)刻蝕設(shè)備1臺(tái)：通過化學(xué)反應(yīng)或物理方法去除硅基材料，以形成深溝槽或高深寬比結(jié)構(gòu)的工藝設(shè)備。其基于化學(xué)反應(yīng)刻蝕或高能離子束刻蝕，通過化學(xué)反應(yīng)生成揮發(fā)性物質(zhì)，從而去除硅基材料。而在高能離子束刻蝕中，則利用離子束對(duì)硅片進(jìn)行轟擊，使硅片表面的原子被剝離，形成所需的結(jié)構(gòu)。
注：其他技術(shù)要求詳見招標(biāo)文件
現(xiàn)更正為：
附件：
主要技術(shù)要求
無掩膜深硅刻蝕檢測(cè)一體化系統(tǒng)主要包括設(shè)備如下：
無掩膜高深比切割與檢測(cè)設(shè)備1臺(tái)：該設(shè)備能夠?qū)崿F(xiàn)高深寬比的加工，根據(jù)需要快速調(diào)整加工圖案，適應(yīng)不同的加工需求。此外該設(shè)備無需掩膜版，因此減少了掩膜版的制作和更換成本，實(shí)現(xiàn)小批量、多品種的快速加工。
離子增強(qiáng)刻蝕設(shè)備1臺(tái)：通過化學(xué)反應(yīng)或物理方法去除硅基材料，以形成深溝槽或高深寬比結(jié)構(gòu)的工藝設(shè)備。其基于化學(xué)反應(yīng)刻蝕或高能離子束刻蝕，通過化學(xué)反應(yīng)生成揮發(fā)性物質(zhì)，從而去除硅基材料。而在高能離子束刻蝕中，則利用離子束對(duì)硅片進(jìn)行轟擊，使硅片表面的原子被剝離，形成所需的結(jié)構(gòu)。
（一）無掩膜高深比切割與檢測(cè)設(shè)備
1. #最大峰值刻蝕功率≥****w。
2. 平均刻蝕功率≥**0w。
3. #平臺(tái)測(cè)試定位精度：不高于± 0.2μm。
4. 需要包含惰性氣體保護(hù)系統(tǒng)。
5. 刻蝕速度范圍包括**~****μm/min。
6. 光學(xué)放大倍率范圍包括4~**倍。
7. 精密測(cè)量模塊定位精度：不高于± 0.2μm。
8. 直線度：不高于± 0.4μm。
9. #測(cè)量行程≥**0 mm。
**. 輸出頻率包括0~**Mhz。
**. #輸出通道≥2。
**. 上升/下降時(shí)間≤9 ns。
**. 測(cè)試波長(zhǎng)范圍包括**0~****nm。
**. 相位分辨率≤2 nm。
**. 具有高速Hyperwire光纖通訊接口。
**. 支持.Net及C++等編程語言二次開發(fā)。
**. ★最大刻蝕深度≥** mm。
（二）離子增強(qiáng)刻蝕設(shè)備
1.晶圓大?。核挠⒋?。
2.工藝腔內(nèi)徑≤**0mm，內(nèi)壁需要經(jīng)耐腐氧化處理。
3.工藝腔內(nèi)壁需要帶有內(nèi)襯，內(nèi)襯表面需要經(jīng)耐腐氧化處理。
4.工藝腔內(nèi)壁加熱范圍應(yīng)包括**~**0℃。
5.上功率源功率范圍應(yīng)包含**~****W，支持預(yù)置匹配點(diǎn)，支持脈沖功能。
6.上功率源需要支持固定匹配點(diǎn)運(yùn)行，允許反射功率在**%設(shè)定功率值的情況下連續(xù)運(yùn)行。
7.#上功率兩路輸出，調(diào)節(jié)等離子體分布。
8.#采用立體等離子體源，石英耦合窗，使用立體螺旋功率耦合天線，支持遠(yuǎn)等離子體技術(shù)。
9.#載片臺(tái)直徑不小于**0mm。
**.下功率源功率范圍應(yīng)包含0~**0W，支持預(yù)置匹配點(diǎn)，支持脈沖功能。
**.#下功率源支持固定匹配點(diǎn)運(yùn)行，允許反射功率在**%設(shè)定功率值的情況下連續(xù)運(yùn)行。
**.可控制基片表面溫度，控溫范圍為-**℃~**℃。
**.真空系統(tǒng)分子泵抽速≥****L/s。
**.#工藝腔本底極限真空度達(dá)到5E-4Pa以上。
**.氣體配置包含如下氣體管路：Ar、O 2 、CHF 3 、CF 4 、SF 6 、C4F 8 。
**.#采用質(zhì)量流量計(jì)（MFC）控制氣體流量，MFC支持更改氣體種類與氣體量程。
**.★最大刻蝕深度大于**0um。
注：其他技術(shù)要求詳見招標(biāo)文件
2、原招標(biāo)公告中附件中“1.采購人信息”：
聯(lián)系方式：張老師
聯(lián)系電話：**0-********
現(xiàn)更正為：
聯(lián)系方式：林老師
聯(lián)系電話：**0-********
招標(biāo)公告其他內(nèi)容不變
更正日期：****年**月**日
三、其他補(bǔ)充事宜
無
四、凡對(duì)本次公告內(nèi)容提出詢問，請(qǐng)按以下方式聯(lián)系。
1.采購人信息
名 稱：北京理工大學(xué)
地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村南大街5號(hào)
聯(lián)系方式：林老師 **0-********
2.采購代理機(jī)構(gòu)信息
名 稱：國(guó)信國(guó)際工程咨詢集團(tuán)股份有限公司
地 址：北京市豐臺(tái)區(qū)豐葆路**8號(hào)院國(guó)信招標(biāo)
聯(lián)系方式：張女士**********6
3.項(xiàng)目聯(lián)系方式
項(xiàng)目聯(lián)系人：張女士
電 話： **********6
