一、項目基本情況
原公告的采購項目編號：GXTC-A1-********
原公告的采購項目名稱：北京理工大學無掩膜深硅刻蝕檢測一體化系統(tǒng)采購
首次公告日期：****年**月**日
二、更正信息
更正事項：采購文件
更正內(nèi)容：
1、原招標文件“第一章 投標邀請”附件中“主要技術(shù)要求”：
附件：
（一）無掩膜高深比切割與檢測設(shè)備
1. #最大峰值刻蝕功率≥****w。
2. 平均刻蝕功率≥**0w。
3. #平臺測試定位精度：不高于± 0.2μm。
4. 需要包含惰性氣體保護系統(tǒng)。
5. 刻蝕速度范圍包括**~****μm/min。
6. 光學放大倍率范圍包括4~**倍。
7. 精密測量模塊定位精度：不高于± 0.2μm。
8. 直線度：不高于± 0.4μm。
9. #測量行程≥**0 mm。
**. 輸出頻率包括0~**Mhz。
**. #輸出通道≥2。
**. 上升/下降時間≤9 ns。
**. 測試波長范圍包括**0~****nm。
**. 相位分辨率≤2 nm。
**. 具有高速Hyperwire光纖通訊接口。
**. 支持.Net及C++等編程語言二次開發(fā)。
**. ★最大刻蝕深度≥** mm。
（二）離子增強刻蝕設(shè)備
1.晶圓大?。核挠⒋?。
2.工藝腔內(nèi)徑≤**0mm，內(nèi)壁需要經(jīng)耐腐氧化處理。
3.工藝腔內(nèi)壁需要帶有內(nèi)襯，內(nèi)襯表面需要經(jīng)耐腐氧化處理。
4.工藝腔內(nèi)壁加熱范圍應(yīng)包括**~**0℃。
5.上功率源功率范圍應(yīng)包含**~****W，支持預(yù)置匹配點，支持脈沖功能。
6.上功率源需要支持固定匹配點運行，允許反射功率在**%設(shè)定功率值的情況下連續(xù)運行。
7.#上功率兩路輸出，調(diào)節(jié)等離子體分布。
8.#采用立體等離子體源，石英耦合窗，使用立體螺旋功率耦合天線，支持遠等離子體技術(shù)。
9.#載片臺直徑不小于**0mm。
**.下功率源功率范圍應(yīng)包含0~**0W，支持預(yù)置匹配點，支持脈沖功能。
**.#下功率源支持固定匹配點運行，允許反射功率在**%設(shè)定功率值的情況下連續(xù)運行。
**.可控制基片表面溫度，控溫范圍為-**℃~**℃。
**.真空系統(tǒng)分子泵抽速≥****L/s。
**.#工藝腔本底極限真空度達到5E-4Pa以上。
**.氣體配置包含如下氣體管路：Ar、O 2 、CHF 3 、CF 4 、SF 6 、C4F 8 。
**.#采用質(zhì)量流量計（MFC）控制氣體流量，MFC支持更改氣體種類與氣體量程。
**.★最大刻蝕深度大于**0um。
現(xiàn)更正為：
附件：
（一）無掩膜高深比切割與檢測設(shè)備
1. #最大峰值刻蝕功率≥****w，平均刻蝕功率≥**0w。
2. 精密測量模塊定位精度不高于± 0.2μm，直線度不高于± 0.4μm。
3. #平臺測試定位精度：不高于± 0.2μm。
4. 需要包含惰性氣體保護系統(tǒng)。
5. 刻蝕速度范圍包括**~****μm/min。
6. 光學放大倍率范圍包括4~**倍。
7. #測量行程≥**0 mm。
8. #輸出通道≥2，輸出頻率包括0~**Mhz。
9. 上升/下降時間≤9 ns。
**. 測試波長范圍包括**0~****nm，相位分辨率≤2 nm。
**. 具有高速Hyperwire光纖通訊接口。
**. 支持.Net及C++等編程語言二次開發(fā)。
**. ★最大刻蝕深度≥** mm。
**. 相位與強度采樣≥**2×**6。
**. 相位測試空間分辨率≤**.6μm。
**. 樣品托盤最大直徑≥6英寸，向下兼容更小的晶圓片或不規(guī)則碎片。
**. 不同尺寸樣品之間需要可以自動切換，控制系統(tǒng)需要可以全部組件進行實時監(jiān)控。
（二）離子增強刻蝕設(shè)備
隔離槽刻蝕機臺模塊：
1.晶圓大?。核挠⒋?。
2.工藝腔內(nèi)徑≤**0mm，內(nèi)壁需要經(jīng)耐腐氧化處理。
3.工藝腔內(nèi)壁需要帶有內(nèi)襯，內(nèi)襯表面需要經(jīng)耐腐氧化處理。
4.工藝腔內(nèi)壁加熱范圍應(yīng)包括**~**0℃。
5.上功率源功率范圍應(yīng)包含**~****W，支持預(yù)置匹配點，支持脈沖功能。
6.上功率源需要支持固定匹配點運行，允許反射功率在**%設(shè)定功率值的情況下連續(xù)運行。
7.#上功率兩路輸出，調(diào)節(jié)等離子體分布。
8.#采用立體等離子體源，石英耦合窗，使用立體螺旋功率耦合天線，支持遠等離子體技術(shù)。
9.#載片臺直徑不小于**0mm。
**.下功率源功率范圍應(yīng)包含0~**0W，支持預(yù)置匹配點，支持脈沖功能。
**.#下功率源支持固定匹配點運行，允許反射功率在**%設(shè)定功率值的情況下連續(xù)運行。
**.可控制基片表面溫度，控溫范圍為-**℃~**℃。
**.真空系統(tǒng)分子泵抽速≥****L/s。
**.#工藝腔本底極限真空度達到5E-4Pa以上。
**.#氣體配置包含如下氣體管路：Ar、O 2 、CHF 3 、CF 4 、SF 6 、C4F 8 。
**.#采用質(zhì)量流量計（MFC）控制氣體流量，MFC支持更改氣體種類與氣體量程。
**.★最大刻蝕深度大于**0um。
不大于****mm。
離子增強刻蝕監(jiān)測模塊：
**. #獨立DAC電壓輸出通道≥**個。
**.輸出電壓精度≥**位。
**.動態(tài)存儲≥**0dB。
**.積分時間常數(shù)范圍包括:1us-**0s。
**.#極限壓強≤8×** -5 Pa，
**.水氧指標：＜1ppm
**.循環(huán)能力：集成風機流量≥**m3/h
**.露點分析儀測量范圍包括0～**0ppm
2、原招標文件“第三章 資格審查、評標辦法和標準”中：
附表四 技術(shù)評審因素及分值分配表
| 評分項目 | 分值 | 評分說明 | 評定 分值 | |
| 技術(shù) （**分） | 技術(shù)參數(shù)和性能指標 | **分 | 以“第五章采購需求中二、主要技術(shù)指標”中的具體指標作為評審依據(jù)，對技術(shù)參數(shù)和性能進行打分。其中包 含2個★號指標，**個#號指標，**個無標識指標。 1）★號指標為實質(zhì)性指標，每有一項★號指標不滿足則否決其投標； 2）#號指標為重要指標，每有一項#號指標滿足要求的得2分，不滿足或負偏離不得分，未按照要求提供相關(guān)有效證明文件（對應(yīng)的配件進貨單并加蓋投標方公章）附件的也不得分； 3）無標識的為一般指標，每有一項一般指標滿足要求的得0.5分，不滿足或負偏離不得分； 4）總分**分，全部滿足得**分，最低0分。 | 0-**分 |
現(xiàn)更正為：
附表四 技術(shù)評審因素及分值分配表
| 評分項目 | 分值 | 評分說明 | 評定 分值 | |
| 技術(shù) （**分） | 技術(shù)參數(shù)和性能指標 | **分 | 以“第五章采購需求中二、主要技術(shù)指標”中的具體指標作為評審依據(jù)，對技術(shù)參數(shù)和性能進行打分。其中包含2個★號指標，**個#號指標，**個無標識指標。 1）★號指標為實質(zhì)性指標，每有一項★號指標不滿足則否決其投標； 2）#號指標為重要指標，每有一項#號指標滿足要求的得1.5分，不滿足或負偏離不得分，未按照要求提供相關(guān)有效證明文件（對應(yīng)的配件進貨單并加蓋投標方公章）附件的也不得分； 3）無標識的為一般指標，每有一項一般指標滿足要求的得0.5分，不滿足或負偏離不得分； 4）總分**分，全部滿足得**分，最低0分。 | 0-**分 |
3、原招標文件“第五章 采購需求二、主要技術(shù)指標”.
（一）無掩膜高深比切割與檢測設(shè)備
1. #最大峰值刻蝕功率≥****w。
2. 平均刻蝕功率≥**0w。
3. #平臺測試定位精度：不高于± 0.2μm。
4. 需要包含惰性氣體保護系統(tǒng)。
5. 刻蝕速度范圍包括**~****μm/min。
6. 光學放大倍率范圍包括4~**倍。
7. 精密測量模塊定位精度：不高于± 0.2μm。
8. 直線度：不高于± 0.4μm。
9. #測量行程≥**0 mm。
**. 輸出頻率包括0~**Mhz。
**. #輸出通道≥2。
**. 上升/下降時間≤9 ns。
**. 測試波長范圍包括**0~****nm。
**. 相位分辨率≤2 nm。
**. 具有高速Hyperwire光纖通訊接口。
**. 支持.Net及C++等編程語言二次開發(fā)。
**. ★最大刻蝕深度≥** mm。
**. 相位與強度采樣≥**2×**6。
**. 相位測試空間分辨率≤**.6μm。
**. 樣品托盤最大直徑≥6英寸，向下兼容更小的晶圓片或不規(guī)則碎片。
**. 不同尺寸樣品之間需要可以自動切換，控制系統(tǒng)需要可以全部組件進行實時監(jiān)控。
**. 需要可以通過工藝軟件對氣體壓力、刻蝕功率等工藝參數(shù)進行實時調(diào)控，也可以自動控制。
**. 設(shè)備需要配置緊急停止開關(guān)，具備完善安全互鎖功能。
（二）離子增強刻蝕設(shè)備
**.晶圓大小：四英寸。
**.工藝腔內(nèi)徑≤**0mm，內(nèi)壁需要經(jīng)耐腐氧化處理。
**.工藝腔內(nèi)壁需要帶有內(nèi)襯，內(nèi)襯表面需要經(jīng)耐腐氧化處理。
**.工藝腔內(nèi)壁加熱范圍應(yīng)包括**~**0℃。
**.上功率源功率范圍應(yīng)包含**~****W，支持預(yù)置匹配點，支持脈沖功能。
**.上功率源需要支持固定匹配點運行，允許反射功率在**%設(shè)定功率值的情況下連續(xù)運行。
**.#上功率兩路輸出，調(diào)節(jié)等離子體分布。
**.#采用立體等離子體源，石英耦合窗，使用立體螺旋功率耦合天線，支持遠等離子體技術(shù)。
**.#載片臺直徑不小于**0mm。
**.下功率源功率范圍應(yīng)包含0~**0W，支持預(yù)置匹配點，支持脈沖功能。
**.#下功率源支持固定匹配點運行，允許反射功率在**%設(shè)定功率值的情況下連續(xù)運行。
**.可控制基片表面溫度，控溫范圍為-**℃~**℃。
**.真空系統(tǒng)分子泵抽速≥****L/s。
**.#工藝腔本底極限真空度達到5E-4Pa以上。
**.氣體配置包含如下氣體管路：Ar、O 2 、CHF 3 、CF 4 、SF 6 、C4F 8 。
**.#采用質(zhì)量流量計（MFC）控制氣體流量，MFC支持更改氣體種類與氣體量程。
**.集成式氣路柜，質(zhì)量流量計MFC到反應(yīng)腔氣體接入口之間的氣體管道長度小于**cm，實現(xiàn)工藝氣體的快速切換。
**.O 2 、SF 6 、C 4 F 8 三種氣體需要支持連續(xù)刻蝕工藝，也需要支持BOSCH工藝。
**.采用矩形插板閥隔斷工藝腔與傳輸腔。
**.采用工控機作為控制系統(tǒng)主機。
**.控制軟件具有如下功能：用戶等級與操作權(quán)限管理；自動運行與工程維護界面模塊；實時顯示機臺狀態(tài)；日志管理功能；動作互鎖功能；工藝菜單編輯功能；機臺異常處理功能。
**.帶有安全互鎖與急停機制（EMO）。
**.★最大刻蝕深度大于**0um。
**.深寬比大于6。
**.整機尺寸不大于****mm（長）×****mm（寬）×****mm（高），操作面尺寸不大于****mm。
**.獨立DAC電壓輸出通道≥**個。
**.輸出電壓精度≥**位。
**.動態(tài)存儲≥**0dB。
**.積分時間常數(shù)范圍包括:1us-**0s。
現(xiàn)更正為：
（一）無掩膜高深比切割與檢測設(shè)備
1. #最大峰值刻蝕功率≥****w，平均刻蝕功率≥**0w。
2. 精密測量模塊定位精度不高于± 0.2μm，直線度不高于± 0.4μm。
3. #平臺測試定位精度：不高于± 0.2μm。
4. 需要包含惰性氣體保護系統(tǒng)。
5. 刻蝕速度范圍包括**~****μm/min。
6. 光學放大倍率范圍包括4~**倍。
7. #測量行程≥**0 mm。
8. #輸出通道≥2，輸出頻率包括0~**Mhz。
9. 上升/下降時間≤9 ns。
**. 測試波長范圍包括**0~****nm，相位分辨率≤2 nm。
**. 具有高速Hyperwire光纖通訊接口。
**. 支持.Net及C++等編程語言二次開發(fā)。
**. ★最大刻蝕深度≥** mm。
**. 相位與強度采樣≥**2×**6。
**. 相位測試空間分辨率≤**.6μm。
**. 樣品托盤最大直徑≥6英寸，向下兼容更小的晶圓片或不規(guī)則碎片。
**. 不同尺寸樣品之間需要可以自動切換，控制系統(tǒng)需要可以全部組件進行實時監(jiān)控。
**. 需要可以通過工藝軟件對氣體壓力、刻蝕功率等工藝參數(shù)進行實時調(diào)控，也可以自動控制。
**. 設(shè)備需要配置緊急停止開關(guān)，具備完善安全互鎖功能。
**. 設(shè)備附帶高精度MFC 流量控制，并針對不同氣體做量程和精度校準。
**. 設(shè)備可以實現(xiàn)不同氣體的快速切換。
（二）離子增強刻蝕設(shè)備
隔離槽刻蝕機臺模塊：
1.晶圓大?。核挠⒋?。
2.工藝腔內(nèi)徑≤**0mm，內(nèi)壁需要經(jīng)耐腐氧化處理。
3.工藝腔內(nèi)壁需要帶有內(nèi)襯，內(nèi)襯表面需要經(jīng)耐腐氧化處理。
4.工藝腔內(nèi)壁加熱范圍應(yīng)包括**~**0℃。
5.上功率源功率范圍應(yīng)包含**~****W，支持預(yù)置匹配點，支持脈沖功能。
6.上功率源需要支持固定匹配點運行，允許反射功率在**%設(shè)定功率值的情況下連續(xù)運行。
7.#上功率兩路輸出，調(diào)節(jié)等離子體分布。
8.#采用立體等離子體源，石英耦合窗，使用立體螺旋功率耦合天線，支持遠等離子體技術(shù)。
9.#載片臺直徑不小于**0mm。
**.下功率源功率范圍應(yīng)包含0~**0W，支持預(yù)置匹配點，支持脈沖功能。
**.#下功率源支持固定匹配點運行，允許反射功率在**%設(shè)定功率值的情況下連續(xù)運行。
**.可控制基片表面溫度，控溫范圍為-**℃~**℃。
**.真空系統(tǒng)分子泵抽速≥****L/s。
**.#工藝腔本底極限真空度達到5E-4Pa以上。
**.#氣體配置包含如下氣體管路：Ar、O 2 、CHF 3 、CF 4 、SF 6 、C4F 8 。
**.#采用質(zhì)量流量計（MFC）控制氣體流量，MFC支持更改氣體種類與氣體量程。
**.集成式氣路柜，質(zhì)量流量計MFC到反應(yīng)腔氣體接入口之間的氣體管道長度小于**cm，實現(xiàn)工藝氣體的快速切換。
**.#O 2 、SF 6 、C 4 F 8 三種氣體需要支持連續(xù)刻蝕工藝，也需要支持BOSCH工藝。
**.采用矩形插板閥隔斷工藝腔與傳輸腔。
**.采用工控機作為控制系統(tǒng)主機。
**.控制軟件具有如下功能：用戶等級與操作權(quán)限管理；自動運行與工程維護界面模塊；實時顯示機臺狀態(tài)；日志管理功能；動作互鎖功能；工藝菜單編輯功能；機臺異常處理功能。
**.帶有安全互鎖與急停機制（EMO）。
**.★最大刻蝕深度大于**0um。
**.深寬比大于6。
**.整機尺寸不大于****mm（長）×****mm（寬）×****mm（高），操作面尺寸不大于****mm。
離子增強刻蝕監(jiān)測模塊：
**. #獨立DAC電壓輸出通道≥**個。
**.輸出電壓精度≥**位。
**.動態(tài)存儲≥**0dB。
**.積分時間常數(shù)范圍包括:1us-**0s。
**.#極限壓強≤8×** -5 Pa，
**.水氧指標：＜1ppm
**.循環(huán)能力：集成風機流量≥**m3/h
**.露點分析儀測量范圍包括0～**0ppm
招標文件其他內(nèi)容不變
更正日期：****年**月**日
三、其他補充事宜
無
四、凡對本次公告內(nèi)容提出詢問，請按以下方式聯(lián)系。
1.采購人信息
名 稱：北京理工大學
地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村南大街5號
聯(lián)系方式：林老師 **0-********
2.采購代理機構(gòu)信息
名 稱：國信國際工程咨詢集團股份有限公司
地 址：北京市豐臺區(qū)豐葆路**8號院國信招標
聯(lián)系方式：張女士**********6
3.項目聯(lián)系方式
項目聯(lián)系人：張女士
電 話： **********6
